• Operación del DDR5 más rápido del mundo con una tasa de transferencia de datos esperada de más de 8 Gbps
• SK hynix lidera el desarrollo de MCR DIMM a través de la colaboración con Intel y Renesas
• Continúan los esfuerzos para buscar avances tecnológicos y consolidar el liderazgo en el mercado de servidores DRAM

SEÚL, Corea del Sur, 7 de diciembre de 2022 /PRNewswire/ — SK hynix Inc. (o «la compañía», www.skhynix.com) anunció hoy que ha desarrollado muestras de trabajo de DDR5* Multiplexer Combined Ranks (MCR) Dual Módulo de memoria en línea, el producto DRAM de servidor más rápido del mundo. Se ha confirmado que el nuevo producto funciona a una velocidad de datos mínima de 8 Gbps y al menos un 80 % más rápida que los 4,8 Gbps de los productos DDR5 existentes.

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* Double Data Rate (DDR), un estándar DRAM utilizado principalmente para servidores y aplicaciones cliente, se ha desarrollado hasta la quinta generación. El MCR DIMM es un producto de módulo con múltiples chips DRAM conectados a la placa y una velocidad mejorada como resultado de dos rangos que funcionan simultáneamente.

* Rango: una colección de unidades de transferencia básicas de los datos enviados a la CPU desde el módulo DRAM. Un rango generalmente se refiere a 64 bytes de datos que se transferirán a la unidad central de procesamiento como un paquete.

MCR DIMM es un logro que proviene del pensamiento innovador con el objetivo de mejorar la velocidad de operación de DDR5. Desafiando el concepto prevaleciente de que la velocidad de operación de DDR5 se basa en la del propio chip DRAM, los ingenieros buscaron una forma de mejorar la velocidad de los módulos en lugar de los chips para el desarrollo del producto más reciente.

SK hynix diseñó el producto de manera que permite el funcionamiento simultáneo de dos rangos utilizando el búfer de datos* instalado en el MCR DIMM basado en la tecnología MCR de Intel.

* Búfer: un componente que optimiza el rendimiento de la transmisión de señales entre la DRAM y la CPU. Instalado principalmente en módulos para servidores que requieren alto rendimiento y confiabilidad

Al permitir el funcionamiento simultáneo de dos rangos, MCR DIMM permite la transmisión de 128 bytes de datos a la CPU a la vez, en comparación con los 64 bytes obtenidos generalmente en el módulo DRAM convencional. Un aumento en la cantidad de datos enviados a la CPU cada vez admite la velocidad de transferencia de datos de un mínimo de 8 Gbps, el doble de rápido que una sola DRAM.

Una estrecha colaboración con los socios comerciales Intel y Renesas fue clave para el éxito. Las tres empresas trabajaron juntas y cooperaron durante todo el proceso, desde el diseño del producto hasta la verificación.

El jefe de planificación de productos DRAM de SK hynix, Sungsoo Ryu, dijo que el logro fue posible gracias a la convergencia de diferentes tecnologías. «Las capacidades de diseño de módulos DRAM de SK hynix se cumplieron con la excelencia de Intel en el procesador Xeon y la tecnología de búfer de Renesas», dijo Ryu. «Para un rendimiento estable de MCR DIMM, las interacciones fluidas entre el búfer de datos y el procesador dentro y fuera del módulo son esenciales».

El búfer de datos transmite múltiples señales provenientes del módulo en el medio y la CPU del servidor acepta y maneja las señales que provienen del búfer.

«SK hynix entregó otra evolución tecnológica para DDR5 al desarrollar el MCR DIMM más rápido del mundo», dijo Ryu. «Nuestros esfuerzos para encontrar avances tecnológicos continuarán mientras buscamos consolidar nuestro liderazgo en el mercado de servidores DRAM».

El Dr. Dimitrios Ziakas, vicepresidente de memoria y tecnologías IO de Intel, dijo que Intel y SK hynix están liderando el camino en la innovación de memoria y el desarrollo de DDR5 escalable y de alto rendimiento para servidores, junto con otros socios clave de la industria.

«La tecnología presentada proviene de años de investigación colaborativa entre Intel y socios clave de la industria para producir aumentos significativos en el ancho de banda disponible para los procesadores Intel Xeon», dijo. “Esperamos llevar esta tecnología a los futuros procesadores Intel Xeon y respaldar los esfuerzos de estandarización y desarrollo multigeneracional en toda la industria”.

El vicepresidente y gerente general de la división de interfaz de memoria de Renesas, Sameer Kuppahalli, dijo que el desarrollo del búfer de datos de Renesas es la culminación de tres años de esfuerzo intensivo que abarca desde el concepto hasta la producción. «Estamos orgullosos de asociarnos con SK hynix e Intel en el esfuerzo por convertir esta tecnología en un producto convincente», dijo.

SK hynix espera que el mercado de MCR DIMM se expanda impulsado por la computación de alto rendimiento que aprovechará el mayor ancho de banda de la memoria. SK hynix planea llevar el producto a la producción en masa en el futuro.

*Intel, el logotipo de Intel y otras marcas de Intel son marcas comerciales de Intel Corporation o sus subsidiarias.

Acerca de SK hynix Inc.
SK hynix Inc., con sede en Corea, es el proveedor de semiconductores de primer nivel del mundo que ofrece chips de memoria de acceso aleatorio dinámico («DRAM»), chips de memoria flash («NAND flash») y sensores de imagen CMOS («CIS») para una amplia gama de distinguidos clientes a nivel mundial. Las acciones de la Compañía cotizan en la Bolsa de Valores de Corea y las acciones de Global Depository cotizan en la Bolsa de Valores de Luxemburgo. Más información sobre SK hynix está disponible en www.skhynix.com, news.skhynix.com.

FUENTE SK hynix Inc.