El evento resalta las soluciones de memoria de próxima generación para aplicaciones como la nube, los dispositivos de vanguardia y los vehículos automotores. Las nuevas tecnologías y productos incluyen HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 y Detachable AutoSSD para impulsar la innovación ante los futuros requerimientos de software y hardware. Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha llevado a cabo su Memory Tech Day anual, donde ha presentado innovaciones pioneras en el sector, así como nuevos productos de memoria de próxima generación para aplicaciones en la nube, dispositivos de vanguardia y vehículos automotores. El evento, al que han asistido aproximadamente 600 clientes, socios y expertos del sector, ha sido una plataforma para que los ejecutivos de Samsung amplíen su visión de la «Memoria Reimaginada», exponiendo los planes a largo plazo de la empresa para mantener su liderazgo en tecnología de memoria, las tendencias del mercado y los objetivos de sostenibilidad. La compañía también ha presentado sus nuevas soluciones de memoria: HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 y Detachable AutoSSD. Jung-Bae Lee, presidente y director del negocio de memoria de Samsung Electronics, aprovechó su discurso de apertura para explicar cómo Samsung superará los desafíos de la era de la hiperescala a través de la innovación en nuevas estructuras de transistores y materiales. Por ejemplo, Samsung está desarrollando nuevas estructuras tridimensionales para DRAM con menos de 10 nanómetros (nm), lo que permitirá mayores capacidades en un solo chip que podrían superar los 100 gigabits (Gb). Después de su DRAM de 12 nm, que comenzó a producirse en masa en mayo de 2023, Samsung está trabajando en su próxima generación de DRAM de 11 nm, que ofrecerá la mayor densidad de la industria. También se están realizando avances en NAND flash que reducirán el tamaño de las celdas y perfeccionarán las técnicas de grabado de los orificios de los canales, con el objetivo de introducir NAND vertical de 1.000 capas (V-NAND). El desarrollo de la novena generación de V-NAND de Samsung está progresando bien y ofrecerá el mayor número de capas de la industria, basado en una estructura de doble pila. La compañía ha logrado un chip funcional para la nueva V-NAND y tiene previsto iniciar la producción en masa a principios del próximo año. «La nueva era de la IA a hiperescala ha llevado a la industria a una encrucijada en la que la innovación y la oportunidad se cruzan, presentando un momento de gran potencial, a pesar de los desafíos que también conlleva», dijo Lee. «A través de una imaginación sin fin y una perseverancia implacable, continuaremos nuestro liderazgo en el mercado impulsando la innovación y colaborando con clientes y socios para ofrecer soluciones para cualquier demanda». Presentando HBM3E ‘Shinebolt’: Los sistemas en la nube están evolucionando para optimizar los recursos de computación, lo que requiere memoria de alto rendimiento para manejar capacidades de alta capacidad, ancho de banda y almacenamiento virtual. Aprovechando la experiencia de Samsung en la comercialización de la primera HBM2 de la industria y la apertura del mercado de HBM para la computación de alto rendimiento (HPC) en 2016, la compañía ha revelado su próxima generación de DRAM HBM3E llamada Shinebolt. Shinebolt impulsará la próxima generación de aplicaciones de IA, mejorando el costo total de propiedad (TCO) y acelerando el entrenamiento e inferencia de modelos de IA en centros de datos. HBM3E tiene una velocidad impresionante de 9,8 gigabits por segundo (Gbps), lo que significa que puede alcanzar tasas de transferencia superiores a 1,2 terabytes por segundo (TBps). Para permitir pilas de capas más altas y mejorar las características térmicas, Samsung ha optimizado su tecnología de película no conductora (NCF) para eliminar los espacios entre las capas del chip y maximizar la conductividad térmica. Los productos HBM3 de 8H y 12H de Samsung están actualmente en producción en serie y las muestras de Shinebolt se están enviando a los clientes. Apoyándose en su fortaleza como proveedor integral de soluciones de semiconductores, la empresa también tiene previsto ofrecer un servicio llave en mano personalizado que combine la próxima generación de HBM, tecnologías avanzadas de envasado y ofertas de fundición. Otros productos destacados en el evento son la DRAM DDR5 de 32 Gb con la mayor capacidad de la industria, la primera GDDR7 de 32 Gbps de la industria y la PBSSD a escala de petabytes, que ofrece un impulso importante a las capacidades de almacenamiento para aplicaciones de servidor. Redefiniendo los dispositivos de vanguardia con potentes factores de forma: Con el fin de procesar tareas intensivas en datos, las tecnologías de IA actuales se están moviendo hacia un modelo híbrido que asigna y distribuye la carga de trabajo entre la nube y los dispositivos de vanguardia. Como resultado, Samsung presentó una gama de soluciones de memoria que admiten factores de forma de alto rendimiento, alta capacidad, bajo consumo y tamaño reducido en los dispositivos de vanguardia. Además del primer CAMM2 LPDDR5X a 7,5 Gbps de la industria, que se espera que cambie las reglas del juego en la próxima generación de DRAM para PC y portátiles, la empresa también presentó su DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps, LLW DRAM especializada para dispositivos de IA, el almacenamiento flash universal (UFS) de nueva generación y el SSD BM9C1 de cuatro niveles de célula (QLC) de alta capacidad para PC. Abriendo el camino hacia el liderazgo en soluciones de memoria para automoción: Con los avances en las soluciones de conducción autónoma, también está aumentando la demanda de DRAM y SSD compartidas de gran ancho de banda y capacidad, que comparten datos con varios procesadores (SoC). Samsung presentó su AutoSSD desmontable, que permite el acceso a los datos desde una sola SSD a múltiples SoC a través del almacenamiento virtual. AutoSSD admite una velocidad de lectura secuencial de hasta 6.500 megabytes por segundo (MBps) con una capacidad de 4 TB. Al ser desmontable, la SSD facilita las actualizaciones y ajustes para los usuarios y fabricantes de vehículos. Samsung también presentó soluciones de memoria para automoción, como GDDR7 de gran ancho de banda y LPDDR5X con un tamaño de encapsulado más compacto. Tecnología sostenible: Como parte de su compromiso de minimizar el impacto ambiental, Samsung ha destacado una serie de innovaciones en sus operaciones de semiconductores que contribuirán a mejorar la eficiencia energética para clientes y consumidores. La empresa planea asegurar tecnologías de memoria de consumo que puedan reducir el consumo de energía en centros de datos, PC y dispositivos móviles, al tiempo que utiliza materiales reciclados en productos SSD portátiles para reducir su huella de carbono. Las soluciones de próxima generación de Samsung, como la PBSSD, también ayudarán a reducir el consumo de energía de los sistemas de servidores, ya que maximizan la eficiencia del espacio y la capacidad de los racks. Al colaborar con las partes interesadas en toda la cadena de valor de los semiconductores, incluidos clientes y socios, el negocio de semiconductores de Samsung seguirá desempeñando un papel activo en la lucha contra los problemas climáticos globales a través de su iniciativa de sostenibilidad, «tecnología que hace que la tecnología sea sostenible». Para obtener más información sobre las soluciones de Samsung Semiconductor y el Samsung Memory Tech Day 2023, visite: https://semiconductor.samsung.com/events/techday-memory-2023/. El resumen del evento se publicará más adelante.